待机状态,主电路电流较小,MOSFET导通时间TON很小,电路工作在DCM模式,故相关的导通损耗,次级整流管损耗等较小,比时损耗主要由寄生电容损耗和开关交叠损耗和启动电阻损耗构成。
目前大多数开关电源由额定负载转入轻载和待机状态时,电源效率急剧下降,待机效率不能满足要求。这就给电源设计工程师们提出了新的挑战。
一、开关电源功耗分析:
要减少开关电源待机损耗,提高待机效率,首先要分析开关电源损耗的构成。以反激式电源为例,其工作损耗主要表现为:MOSFET导通损耗MOSFET导通损耗。
待机状态,主电路电流较小,MOSFET导通时间TON很小,电路工作在DCM模式,故相关的导通损耗,次级整流管损耗等较小,比时损耗主要由寄生电容损耗和开关交叠损耗和启动电阻损耗构成。
开关交叠损耗,PWM控制器及其启动电阻损耗,输出整流管损耗,箝位保护电路损耗,反馈电路损耗等。其中前三个损耗与频率成正比关系,即与单位时间内器件开关次数成正比。
二、提高开关电源待机效率的方法:
根据损耗分析可知,切断启动电阻,降低开关频率,减少开关次数可减少待机损耗,提高待机效率。具体的方法有:降低时钟频率;由高频工作模式切换到低频工作模式,如准谐振模式(QuasiResonant ,QR)切换至脉宽调制(PulseWidthModulation,PWM),脉宽调制切换至脉冲频率调制(PulseFrequencyModulation,PFM);可控脉冲模式(BurstMode).